• 요약 본 발명은 고성능 하이브리드 본딩을 위한 패드 패턴이 적용된 반도체 소자를 개시한다. 본 발명에 따른 고성능 하이브리드 본딩을 위한 패드 패턴이 적용된 반도체 소자는, 상부 패드 어레이와 하부 패드 어레이를 하이브리드 본딩한 반도체 소자에 있어서, 상기 상부 패드 어레이 및 상기 하부 패드 어레이 중 적어도 1 이상의 패드 어레이는, 상하부 패드 간에 전기적 연결이 가능한 최대면적 비율과 전방향 허용오차의 최대값 비율에 따라 패드 크기 및 패드 간 주기의 패드 배열과 패드 형상을 포함한 패드 패턴이 최적화 설정된다.
  • 대표 도면
  • R&D 프로젝트 이공학학술연구기반구축; 디지털기술선도핵심인재양성(R&D)
  • 심판 위험 분석 심판 이력 없음
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  • 인용문헌

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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    A1

  • 특허 강도 지표
    12
    청구항
    5
    인용
    0
    패밀리
    5
    권리이전

  • 출원번호 10-2024-0173652 KIPRIS
  • 출원일 2024-11-28
  • 공개번호
  • 공개일
  • 등록번호 10-2882-3670000
  • 등록일 2025-11-03

  • 현재 상태 등록

  • IPC 코드 H10W 29/00; H10W 70/40

  • 대리인 특허법인오암
  • 심사관 이왕주

  • 원문 보기 KIPRIS 원문