요약본 발명의 일 실시예에 따른 할라이드 페로브스카이트 박막 반도체 소자는, 기판; 상기 기판의 배면 측에 형성된 할라이드 페로브스카이트층; 상기 할라이드 페로브스카이트층 상에 형성된 이차원 소재층; 상기 할라이드 페로브스카이트층 상에 배치되며, 드레인 전극, 및 소스 전극을 포함하는 전극부; 및 상기 이차원 소재층 및 상기 전극부 상에 형성된 폴리머층을 포함하되, 상기 이차원 소재층은 상기 할라이드 페로브스카이트층에 드라이 트랜스퍼(dry transfer) 방식으로 적층되어 제조되는 것을 특징으로 한다.
