NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명의 일 실시예에 따른 할라이드 페로브스카이트 기반 상보성 반도체 소자는 기판, 상기 기판의 배면 측에 형성되며 홀 주입층과 전자 주입층을 포함하는 이차원 소재층, 상기 이차원 소재층 상에 형성된 할라이드 페로브스카이트층, 및 상기 할라이드 페로브스카이트층 상에 형성되며 드레인 전극, 출력 전극, 및 소스 전극을 포함하는 전극층을 포함한다.

대표 도면

R&D 프로젝트 국가반도체연구실핵심기술개발

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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인용문헌
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패밀리특허
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전략기술 분류 반도체·디스플레이
B1
특허 강도 지표

15

청구항

3

인용

0

패밀리

2

권리이전
출원번호 10-2025-0034438 KIPRIS
출원일 2025-03-18
공개번호
공개일
등록번호 10-2836-0340000
등록일 2025-07-15
현재 상태 등록
IPC 코드 H10K 10/46; H10K 10/82; H10K 30/15; H10K 85/50; H10K 10/88; H10K 30/40; H10K 30/84; H10K 30/81; H10K 30/88; H10K 77/10
대리인 강대환; 백종웅
심사관 정미나
원문 보기 KIPRIS 원문