NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

요약 본 발명은 전해 에칭시 선택적으로 식각되는 반도체 입체 구조물과 이를 씨드(seed)로 성장하는 반도체층을 이용하여 결정 결함(예를 들면, 관통 전위(threading dislocations))을 최소화하고 빠른 에칭 속도를 확보하는 기판 분리방법 및 이를 이용한 고효율의 발광 다이오드 제조방법을 제공한다.

대표 도면

R&D 프로젝트 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업

심판 위험 분석 심판 이력 없음

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인용문헌
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패밀리특허
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전략기술 분류 반도체·디스플레이
A1
특허 강도 지표

14

청구항

6

인용

0

패밀리

5

권리이전
출원번호 10-2012-0007617 KIPRIS
출원일 2012-01-26
공개번호 10-2013-0086729
공개일 2013-08-05
공고번호
공고일 2014-01-23
등록번호 10-1354-4910000
등록일 2014-01-16
현재 상태 연차료납부
IPC 코드 H10H 20/825; H10P 10/00; H10P 10/00
대리인 이준혁
심사관 김동우
원문 보기 KIPRIS 원문