• 요약 본 개시는 클러스터 화합물 또는 이의 염 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 일 구현예에 따른 클러스터 화합물은 클러스터 간 수소 결합에 의해 박막의 밀도가 높아 생성된 2차 전자의 확산이 억제되고, 고리 구조를 가짐으로써 식각 내성 및 기계적 강도가 우수하므로 현저히 향상된 EUV 민감도를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
  • 대표 청구항
  • 대표 도면
  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    고성능, 저전력 인공지능 반도체

  • 출원번호 10-2025-0029922 KIPRIS
  • 출원일 2025-03-07
  • 공개번호
  • 공개일 2025-11-20
  • 등록번호
  • 등록일 2025-11-14
  • 우선권 번호 1028882630000
  • 우선권 국가
  • 우선권 주장일

  • 현재 상태 등록
  • 현재 권리자
  • IPC 코드 G03F 7/004|C07F 7/22|G03F 7/20|G03F 7/038|H01L 21/027