요약우선배향성 결정질을 갖는 In계 복합 산화물 반도체층 제조방법 및 In계 복합 산화물 반도체층을 포함하는 박막트랜지스터를 제공한다. In계 복합 산화물 반도체층을 결정화하는 방법은 먼저, 기판 상에 In계 복합 산화물 반도체층(Indium-based composite oxide semiconductor layer)을 형성하고, 상기 기판을 제1 열처리하는 것을 포함한다. 제1 열처리는 상기 In계 복합 산화물 반도체층 내의 금속-산소 결합을 파괴하지만, 제1 열처리 후 상기 In계 복합 산화물 반도체층의 비정질 상태는 유지되도록 한다. 상기 In계 복합 산화물 반도체층의 양측 단부들에 In계 산화물 도전체 패턴들을 형성하고, 상기 기판을 제2 열처리하여 상기 In계 산화물 도전체 패턴들을 빅스비아이트(Bixbyite) 결정을 갖도록 결정화한다. 상기 기판을 제3 열처리하여 상기 결정화된 In계 산화물 도전체 패턴들에 의해 상기 In계 복합 산화물 반도체층을 유도결정화하여, 상기 In계 복합 산화물 반도체층을 [222] 방향으로 우선 배향되도록 결정화한다.
