요약본 출원의 실시예에 따라, 싱글 폴리 구조의 임베디드 플래시 메모리 소자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 뉴로모픽 하드웨어 소자가 제공된다. 상기 임베디드 플래시 메모리 소자는, 복수의 단위 메모리 셀을 포함하고, 상기 단위 메모리 셀은, 워드 라인에 연결되는 소스 영역과 드레인 영역, 및 플로팅 게이트 영역을 포함하는 커플링 트랜지스터; 및 소스 라인에 연결되는 소스 영역과 비트 라인에 연결되는 드레인 영역을 포함하며, 상기 커플링 트랜지스터와 상기 플로팅 게이트 영역을 공유하는 리드-아웃 트랜지스터를 포함하고, 상기 커플링 트랜지스터와 상기 리드-아웃 트랜지스터는, gated-p-i-n 다이오드 구조로 구성될 수 있다.
