요약본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판 상에 폴리실리콘이 수직 신장된 수직 낸드 채널을 포함하는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법은, 금속을 주입해 상기 폴리실리콘의 측벽을 따라 금속막을 형성하는 금속막형성단계, 마이크로파를 조사하여 상기 금속과 상기 폴리실리콘 간 결정상 실리콘을 성장시키는 결정상성장단계 및 마이크로파를 조사하여 상기 수직 낸드 채널의 저면 방향으로 상기 결정상 실리콘을 수송하는 결정상수송단계를 포함할 수 있다.
대표 청구항기판 상에 폴리실리콘이 수직 신장된 수직 낸드 채널을 포함하는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법에 있어서,금속을 주입해 상기 폴리실리콘의 측벽을 따라 금속막을 형성하는 금속막형성단계;제1 마이크로파를 조사하여 상기 금속과 상기 폴리실리콘 간 결정상 실리콘을 성장시키는 결정상성장단계; 및제2 마이크로파를 조사하여 상기 수직 낸드 채널의 저면 방향으로 상기 결정상 실리콘을 수송하는 결정상수송단계를 포함하는, 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법.
