- 요약 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 기판 상에 폴리실리콘이 수직 신장된 수직 낸드 채널을 포함하는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법은, 금속을 주입해 상기 폴리실리콘의 측벽을 따라 금속막을 형성하는 금속막형성단계, 마이크로파를 조사하여 상기 금속과 상기 폴리실리콘 간 결정상 실리콘을 성장시키는 결정상성장단계 및 마이크로파를 조사하여 상기 수직 낸드 채널의 저면 방향으로 상기 결정상 실리콘을 수송하는 결정상수송단계를 포함할 수 있다.
- 대표 청구항 기판 상에 폴리실리콘이 수직 신장된 수직 낸드 채널을 포함하는 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법에 있어서,금속을 주입해 상기 폴리실리콘의 측벽을 따라 금속막을 형성하는 금속막형성단계;제1 마이크로파를 조사하여 상기 금속과 상기 폴리실리콘 간 결정상 실리콘을 성장시키는 결정상성장단계; 및제2 마이크로파를 조사하여 상기 수직 낸드 채널의 저면 방향으로 상기 결정상 실리콘을 수송하는 결정상수송단계를 포함하는, 3차원 낸드 플래시 메모리 어레이의 제조 방법.
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대표 도면
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전략기술 분류
반도체·디스플레이
고집적, 저항기반 메모리 - 출원번호 10-2023-0086001 KIPRIS
- 출원일 2023-07-03
- 공개번호 10-2024-0003740
- 공개일 2024-01-09
- 등록번호
- 등록일
- 우선권 번호 10-2022-0081456
- 우선권 국가 KR
- 우선권 주장일 2022-07-01
- 현재 상태 심사중
- 현재 권리자
- IPC 코드 H10B-041/35, H10B-043/35, H10B-041/27, H10B-043/27, H01L-021/02


































































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