요약본 발명은 이종 접합 광트랜지스터 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법으로서, 기판을 형성하는 단계; 스퍼터링을 통해 상기 기판 상에 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 채널층을 형성하는 단계; 상기 IGZO 채널층 주변에 소스/드레인층을 형성하는 단계; 스핀 코팅 및 리간드 교환을 통해 상기 IGZO 채널층 상에 양자점층을 형성하는 단계; 및 상기 양자점층 상에 Ga 2 O 3 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 이종 접합 광트랜지스터 소자 제조 방법이 제공된다.
