요약인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막, 그를 포함하는 박막 트랜지스터 및 강유전 메모리의 제조방법이 개시된다. (a) 인듐, 셀레늄 및 In 2 Se 3 로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 증착 소스를 열증발(thermal evaporation)의 증착 방법으로 기판 상에 증착하여 코팅층을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 코팅층을 열처리로 어닐링(annealing)하여 화학식 1로 표시되는 인듐-셀레나이드 화합물을 포함하는 반도체 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 반도체 박막의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 제조방법에 따라 열증발 공정의 증착방법을 사용하여 In x Se y 채널 층을 기반으로 제작된 박막트랜지스터(TFT)는 높은 전자 전계 효과 이동도 및 7x10 8 의 높은 온/오프 전류 비율로 우수한 출력/전달 특성과 우수한 전기적 성능을 나타내는 효과가 있다.
