요약본 발명은 하이브리드 전극을 포함하는 산화 갈륨 반도체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 하이브리드 전극을 포함하는 산화 갈륨 반도체는 Ga2O3 모스펫 오믹 드레인 구조의 소스 방향 쪽 일정 비율을 쇼트키 금속으로 대체 증착한 하이브리드 전극 구조를 가질 수 있다.
대표 청구항기판; 상기 기판 상에 배치되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 배치되며 산화갈륨을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 배치되는 소스 전극, 게이트 절연체 및 하이브리드 드레인 전극을 포함하고, 상기 게이트 절연체 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하며, 상기 하이브리드 드레인 전극은 상기 반도체층에 각각 접하여 배치되는 쇼트키 접촉 영역 및 오믹 접촉 영역을 포함하는 산화 갈륨 반도체.
