요약화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 화합물 반도체 소자의 제조 방법은, i) 단결정 기판을 제공하는 제1 단계, ii) 단결정 기판 위에 분리층을 제공하는 제2 단계, iii) 분리층 위에 화합물 반도체층을 제공하는 제3 단계, iv) 제2 단계 및 제3 단계를 복수회 반복하는 제4 단계, v) 맨 위에 위치하는 또다른 화합물 반도체층 위에 응력층을 제공하는 제5 단계, vi) 응력층, 또다른 화합물 반도체층 및 또다른 화합물 반도체층 아래에 위치하는 또다른 분리층을 함께 분리하는 제6 단계, vii) 응력층을 제거하고 또다른 화합물 반도체층에 또다른 기판을 제공하여 화합물 반도체 소자를 제공하는 제7 단계, 및 viii) 제6 단계 및 제7 단계를 반복하고 남은 단결정 기판을 제1 단계에서 재사용하는 제8 단계를 포함한다.
대표 청구항단결정 기판을 제공하는 제1 단계, 상기 단결정 기판 위에 분리층을 제공하는 제2 단계, 상기 분리층 위에 화합물 반도체층을 제공하는 제3 단계, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 복수회 반복하는 제4 단계, 맨 위에 위치하는 또다른 화합물 반도체층 위에 응력층을 제공하는 제5 단계, 상기 응력층, 상기 또다른 화합물 반도체층 및 상기 또다른 화합물 반도체층 아래에 위치하는 또다른 분리층을 함께 분리하는 제6 단계, 상기 응력층을 제거하고 상기 또다른 화합물 반도체층에 또다른 기판을 제공하여 화합물 반도체 소자를 제공하는 제7 단계, 및 상기 제6 단계 및 상기 제7 단계를 반복하고 남은 상기 단결정 기판을 상기 제1 단계에서 재사용하는 제8 단계 를 포함하는 화합물 반도체 소자의 제조 방법.
