요약본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 챔버 내의 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 반도체층 위에 절연층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 절연층을 형성하는 단계는 a) 상기 반도체층의 표면에 금속을 포함하는 전구체(pre-cursor)를 주입하는 단계, b) 흡착되지 않은 상기 전구체를 제거하는 단계, c) 상기 반도체층의 표면에 반응물을 주입하는 단계 및 d) 잔류한 상기 반응물을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 반도체층은 층상 구조를 가지는 반도체 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
대표 청구항챔버 내의 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 반도체층 위에 절연층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 절연층을 형성하는 단계는 a) 상기 반도체층의 표면에 금속 및 적어도 하나의 리간드를 포함하는 전구체(pre-cursor)를 주입하고, 상기 전구체는 상기 반도체층의 표면의 수산화기와 반응하는 단계; b) 흡착되지 않은 상기 전구체를 제거하는 단계; c) 상기 반도체층의 표면에 제1 원소와 제2 원소를 포함하는 반응물을 주입하는 단계; 및 d) 잔류한 상기 반응물을 제거하는 단계; 를 포함하고, 상기 반도체층은 층상 구조를 가지는 반도체 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
