• 요약 온도 감응형 트랜지스터-액추에이터 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 상기 온도 감응형 트랜지스터-액추에이터 소자는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성되고, 라멜라 구조를 가지는 블록코폴리머층; 상기 블록코폴리머층 상에 형성된 이온젤층; 상기 반도체층에 접촉하는 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되고, 상기 반도체층에 접촉하는 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 이격되고, 상기 반도체층에 전압을 인가하는 게이트 전극;을 포함하는, 트랜지스터부; 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 컨버터부; 및 상기 컨버터부와 전기적으로 연결되고, 수분 함량에 따른 수축 정도가 서로 상이한 재료의 이중층 구조를 가지는 액추에이터부;를 포함할 수 있다.
  • 대표 청구항
  • 대표 도면
  • 전략기술 분류 인공지능
    효율적 학습 및 AI 인프라 고도화

  • 출원번호 10-2024-0139159 KIPRIS
  • 출원일 2024-10-14
  • 공개번호
  • 공개일 2025-09-24
  • 등록번호
  • 등록일 2025-09-22
  • 우선권 번호 1028643590000
  • 우선권 국가
  • 우선권 주장일

  • 현재 상태 등록
  • 현재 권리자
  • IPC 코드 H10N 70/20|H10N 70/00|G06N 3/063