• 요약 본 발명에 따른 실시예에 따른 반도체 소자는 버퍼 패턴, 상기 버퍼 패턴 상의 도전 패턴 및 상기 버퍼 패턴과 상기 도전 패턴 사이의 산화물 반도체 패턴을 포함한다. 상기 버퍼 패턴은 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물 및 알루미늄 산화물 중 적어도 하나 이상을 포함한다. 상기 산화물 반도체 패턴의 평균 결정립 크기(mean grain size)는 10 nm 내지 17 nm이다.
  • 대표 청구항
  • 대표 도면
  • 전략기술 분류 수소
    수소 기타

  • 출원번호 10-2024-0065351 KIPRIS
  • 출원일 2024-05-20
  • 공개번호 10-2025-0135666
  • 공개일 2025-09-15
  • 등록번호
  • 등록일 1900-01-01
  • 우선권 번호
  • 우선권 국가
  • 우선권 주장일

  • 현재 상태 공개
  • 현재 권리자
  • IPC 코드 H10D 30/67|H10D 62/80|H10B 12/00