요약본 발명은 뉴로모픽 메모리 장치 및 이를 이용한 뉴로모픽 시스템에 관한 것으로, 상기 뉴로모픽 메모리 장치는 복수의 낸드 셀 스트링들로 구성된 3차원 메모리 소자; 출력신호를 출력하고 상기 3차원 메모리 소자의 제1축을 구성하며 상기 복수의 낸드 셀 스트링들 간의 동일 제1축에 존재하는 낸드 셀들을 연결하는 비트라인; 입력신호를 입력받고 상기 3차원 메모리 소자의 제2축을 구성하며 상기 복수의 낸드 셀 스트링들 간의 동일 제2축에 존재하는 낸드 셀들을 연결하는 워드라인; 및 인공지능 신경망의 레이어를 구성하고 상기 3차원 메모리 소자의 제3축을 구성하여 상기 비트라인 및 상기 워드라인과 교차하여 상기 복수의 낸드 셀 스트링들 간의 동일 제3축에 존재하는 낸드 셀들을 연결하는 스트링 선택 라인;을 포함한다.
