요약본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 뉴로모픽 컴퓨팅 소자에 적용 가능한 준 2차원 구조 기반 멤리스터에 관한 것으로서, 전류 밀도와 저항 상태의 안정성을 향상시키는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 주형을 이용해 하부 전극에 3차원 다공성 구조를 형성하고, 이를 기반으로 계면 면적을 확장하여 전류가 균일하게 분포될 수 있도록 한다. 이를 통해 필라멘트 형성 방식의 불규칙성과 인터페이스 타입의 계면 면적 부족 문제를 해결하고, 소형화된 소자에서도 높은 신뢰성과 일관성을 제공한다. 또한, 준 2차원 구조는 멀티레벨 저항 상태 구현이 용이하여 신경망 학습이나 고속 신호 처리와 같은 다양한 응용 분야에서 높은 성능을 발휘할 수 있다. 본 발명은 멤리스터 소자의 구조적 개선을 통해 전류 밀도를 효과적으로 제어하고, 반복적인 저항 변화에도 안정적인 전기적 특성을 유지할 수 있는 기술에 관한 것이다.
