요약저항 변화 메모리 소자를 제공한다. 상기 저항 변화 메모리 소자는 제 1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 니오븀 산화물막을 구비하는 저항변화 산화물막, 상기 저항변화 산화물막 상에 위치하는 제2 전극을 포함한다. 상기 제2 전극은 상기 저항변화 산화물막에 접하는 계면이 상기 니오븀 산화물막으로부터 전달된 산소 이온에 의해 산화되어 형성된 전극 산화물막을 포함한다.
대표 청구항제 1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 니오븀 산화물막을 구비하는 저항변화 산화물막;상기 저항변화 산화물막 상에 위치하는 제2 전극을 포함하되,상기 제2 전극은 상기 저항변화 산화물막에 접하는 계면이 상기 니오븀 산화물막으로부터 전달된 산소 이온에 의해 산화되어 형성된 전극 산화물막을 포함하는 멀티-레벨 저항 변화 메모리 소자.
