기술 세부내용ㅇ 기술분야: 본 발명은 기계적 연질 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것이고, 전자 장치에 사용되는 가요성 자기 정렬 동일 평면 박막 트랜지스터에 적용될 수 있다.
ㅇ 해결과제: 본 발명은 이 커패시턴스를 감소시키는 동일 평면 구조를 활용함으로써, 고속 전자 장치에서 이들의 애플리케이션을 제한하는 역 스태거형 박막 트랜지스터에서 높은 기생 커패시턴스의 문제를 해결하고자 한다.
ㅇ 해결수단: 본 발명은 가요성 인쇄 회로 기판에 통합된 산화물 반도체 박막, 게이트 절연층, 게이트 전극, 유기 인터 층 절연 필름, 및 소스/드레인 전극을 포함한다.
ㅇ 특징: 여기서 주요 특징은 낮은 영률을 갖는 유기 화합물 인터 층 절연막의 사용으로 박막 트랜지스터에서 유연성 및 기계적 성능을 가능하게 한다.
ㅇ 효과: 따라서 본 발명은 박막 트랜지스터의 기계적 내구성 및 전기적 특성을 개선하여 성능을 손상시키지 않고 유연한 전자 장치에 효과적으로 사용할 수 있게 한다.
* 동영상 SMK: https://youtu.be/AEVHYbeST6c?si=uphh-IkwZla8EMU7
![[경희대 썸네일] 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전자 소자.png](https://system.nrftcc.kr/upload/tblTech/[경희대 썸네일] 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 전자 소자.png)
