기술 세부내용메모리 등 각종 소자에 사용되는 커패시터에 관한 것으로, 필라멘트의 형성과 파열을 이용해 커패시턴스가 개선된 커패시턴스 및 그 제조 방법을 제공합니다. 생성된 필라멘트는 소자 내의 수직적인 면적을 증가시켜 반대쪽 전극의 전하를 더욱더 많이 끌어당기고, 절연층의 유효 두께를 감소시켜 각 전극이 반대쪽 전하를 더 강한 힘으로 끌어당겨 커패시턴스의 개선에 기여할 수 있습니다. 본 발명에 따른 커패시터 제조방법은 소자 제작시 구조 변경 등의 추가적인 공정과정 없이 기존 방식 그대로 제작 가능하며, 파열 과정에서 전압의 크기조절에 따라 필라멘트의 크기 및 두께를 실험적으로 조정 및 적용할 수 있어 최적화에 따라 다양한 디바이스에 적용 가능합니다.
