기술 세부내용본 발명은 전자 소자의 반도체층으로 사용되는 금속 산화물 박막을 아미노계 실란 커플링제로 표면 처리하여 캐리어를 n형 도핑하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체층을 포함하는 전자 소자에 관한 것입니다. 본 발명에 따른 금속 산화물 박막의 표면 처리는 공정이 간편하고 제조 비용이 낮으며 소자의 전기적 특성을 개선시킬 수 있고, n형 도핑 농도를 제어하여 박막 트랜지스터, 센서와 같은 다양한 용도에 맞는 반도체 특성을 갖춘 금속 산화물 박막을
손쉽게 제공할 수 있습니다.
