NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

기술 세부내용 본 발명은 낸드 플래시 메모리에서 개인 정보 폐기 방법에 관한 것으로, 기존 NAND 플래시 메모리에 즉시 적용할 수 있으며, 셀 특성에 영향을 주지 않고 간단하고 빠른 개인 정보 폐기가 가능한 효과가 있습니다. 또한, 기존 삭제 작업에 비해 메모리 성능 저하를 크게 줄이고 시간과 비용 측면에서 상당한 효과가 있습니다.

첨부 파일
27. [등록공보] 낸드 플래시 메모리에서 개인 정보 폐기 방법.pdf

27. [SMK] 낸드 플래시 메모리에서 개인 정보 폐기 방법.pdf

지재권 구분 특허
전략기술 분류 디지털 취약점 분석, 대응
특허 출원번호 10-2020-0170824 KIPRIS
IPC 코드 G06F21/78
특허 출원일
특허 등록번호 10-2445057
TRL 단계 3단계(실험실 규모의 기본성능 검증)
연구실 홈페이지 http://protocol.korea.ac.kr/