기술 세부내용본 발명은 피드백 전계효과 전자소자를 이용한 로직 인 메모리 인버터에 관한 것으로, 피드백 전계효과 전자소자의 양성 피드백 루프로 구동하고 로직 인 메모리 기능 동작이 가능한 로직 인 메모리 인버터를 구현할 수 있습니다. 본 발명의 로직 인 메모리 인버터는 CMOS 공정 활용이 가능한 피드백 전계효과 전자소자와 모스 전계효과 전자소자로 구성되어 집적도가 향상되며, 메모리와 프로세서의 분리로 인한 처리속도 및 집적화 한계를 개선할 수 있습니다.
