• 기술 세부내용 산화아연 나노와이어 제조
  • 첨부 파일
  • 지재권 구분 특허
  • 전략기술 분류 차세대 고성능센서

  • 특허 출원번호 10-2017-0066154 KIPRIS
  • IPC 코드 C01G9/02
  • 특허 출원일
  • 특허 등록번호 10-1877319

  • TRL 단계 4단계(실험실 규모의 소재/부품/시스템 핵심성능 평가)
  • 연구실 홈페이지 https://sites.google.com/site/cnuwgshin/