기술 세부내용본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
본 발명은 하부 반사층 및 절연막에 수직 방향으로 길게 활성층을 형성하고, 활성층의 양측에 수직 방향으로 길게 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층을 형성하며,
제 1 반도체층 및 제 2 반도체층 중 활성층에 접촉하지 않은 면에 접촉하도록 수직 방향으로 길게 한 쌍의 측면 반사층을 형성함으로써,
빛이 활성층의 길이 방향인 상부로 직접 방출되도록 구성하고, 측면에 형성된 한 쌍의 측면 반사층을 통해서 전류를 공급하였다.
따라서, 본 발명은 활성층의 일부를 제거하지 않으므로 종래의 수평형 발광 소자에 비하여 더 많은 양의 빛을 발생시킬 수 있고,
투명 전극을 통하지 않고 직접 빛을 방출하므로 종래의 수평형 발광 소자 및 수직형 발광 소자에 비하여 광 추출 효율이 뛰어나다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 반도체층 전체 영역에 대응되는 되는 영역에 n형 및 p형 전극을 형성하고,
전도성이 뛰어난 측면 반사층의 전체 면적을 통해서 전류를 공급하므로 전류가 일부 영역에 집중되는 current crowding 현상을 방지하여 광 효율을 향상시킬 수 있으며,
n형 및 p형 전극 전체 면적(n형 및 p형 전극이 측면 반사층과 통합되어 형성된 경우에는 한 쌍의 측면 반사층 전체 면적)과 접촉하도록 리드 프레임을 연결하고
하부 반사층에 히트 슬러그를 연결하여 열을 외부로 방출함으로써 열 방출 효율이 뛰어나다.
