NRF-TCC : 한국연구재단 기술사업화센터

기술 세부내용 본 발명의 일 실시예에 따른 터널링 소자는, 제1 산화물 기판 상부에 형성된 제1 반도체 조각; 상기 제1 반도체 조각 위에 적층되어 형성된 제2 반도체 조각; 및 상기 제1 반도체 조각 및 상기 제2 반도체 조각 사이에 형성된 중간층을 포함하며, 상기 중간층은 상기 제2 반도체 조각의 일면에서 소정 시간 자연 산화되어 형성된 자연 산화막이다.

첨부 파일

지재권 구분 특허
전략기술 분류 전력반도체
특허 출원번호 10-2021-0026173 KIPRIS
IPC 코드
특허 출원일
특허 등록번호
TRL 단계
연구실 홈페이지 https://anol.korea.ac.kr/professor