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자연 산화막을 이용하여 중간층을 형성하는 터널링 소자 제작 방법
- 기술 세부내용 본 발명의 일 실시예에 따른 터널링 소자는, 제1 산화물 기판 상부에 형성된 제1 반도체 조각; 상기 제1 반도체 조각 위에 적층되어 형성된 제2 반도체 조각; 및 상기 제1 반도체 조각 및 상기 제2 반도체 조각 사이에 형성된 중간층을 포함하며, 상기 중간층은 상기 제2 반도체 조각의 일면에서 소정 시간 자연 산화되어 형성된 자연 산화막이다.
- 첨부 파일
- 지재권 구분 특허
- 전략기술 분류 전력반도체
- 특허 출원번호 10-2021-0026173 KIPRIS
- IPC 코드
- 특허 출원일
- 특허 등록번호
- TRL 단계
- 연구실 홈페이지 https://anol.korea.ac.kr/professor
- 기술 담당자 정보
- 고려대학교
- 김수아
- 변리사
- sooakim@korea.ac.kr
- 02-3290-5835


































































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