기술 세부내용투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 물질을 이용하여 게이트 전극층, 게이트 절연막층, 플로팅 게이트층 및 채널층을 형성하여 제조된 투명 또는 플렉서블 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 (a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계; (b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계; (c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및 (d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공한다.
