기술 세부내용
본 발명은 트리플 게이트 피드백 메모리 소자로 구성된 가변형 로직 인 메모리 셀에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 가변형 로직 인 메모리 셀 드레인 영역, 채널 영역, 소스 영역을 포함하고, 상기 채널 영역 상에서 제1 및 제2 프로그래밍 게이트 전극 및 컨트롤 게이트 전극이 형성된 게이트 영역을 포함하는 트리플 게이트 피드백 메모리 소자를 복수로 포함하고, 상기 복수의 트리플 게이트 피드백 메모리 소자 각각은 상기 제1 및 제2 프로그래밍 게이트 전극을 통해 인가되는 프로그램 전압(VPG)의 레벨에 따라 상기 채널 영역에서 상기 제1 및 제2 프로그래밍 게이트 전극 아래의 채널 영역이 제1 채널 동작 및 제2 채널 동작 중 어느 하나의 채널 동작을 수행하고, 상기 컨트롤 게이트 전극을 통해 인가되는 컨트롤 전압(VCG)의 레벨에 기반하여 온 상태(on state)와 오프 상태(off state) 중 어느 하나의 상태로 결정되며, 상기 수행된 어느 하나의 채널 동작에서 상기 어느 하나의 상태에 따라 변화되는 출력 전압(VOUT)의 레벨에 기반하여 논리 연산 기능 및 메모리 기능을 수행할 수 있다.
