기술 세부내용본 발명은 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 제1 도전형의 제1 도전 영역, 제2 도전형의 제2 도전 영역, 상기 제1 도전 영역과 상기 제2 도전 영역 사이에 배치된 진성 영역, 및 상기 진성 영역과 상기 제2 도전 영역 사이에 배치된 제1 도전형의 장벽 영역을 포함하는 반도체 컬럼; 상기 진성 영역을 감싸도록 배치된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 진성 영역 사이에 배치된 게이트 절연막을 포함한다.
상기 게이트에 인가되는 게이트 전압과 상기 드레인에 인가되는 드레인 전압에 따라 스위치 또는 휘발성 메모리로 동작한다.
