요약본 발명은 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법에 관한 것으로, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(metal semiconductor field effect transistor: MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor: HEMT) 등의 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 게이트 다리 패턴용 유전체에 게이트 머리를 지지하는 지지용 축을 형성하여 게이트 다리를 중심으로 양쪽으로 게이트 머리를 받침으로써 게이트 머리가 지지되도록 한 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법이다.본 발명에 따른 지지용 축을 사용한 중앙에 칩(10)이 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법에 의하면, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하
