• 요약 광효율 향상을 위한 전극 패턴을 포함하는 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 기판, 제 1 전극, 및 한 쌍의 제 2 전극을 포함한다. 기판은 제 2 질화물 반도체층, 활성층, 제 1 질화물 반도체층, 및 투명 전극층이 순차적으로 적층되어 있고, 제 1 전극은 기판의 중심점을 가로지르며, 기판의 중심점에 대해서 대칭인 ''S''자 형상이고, 한 쌍의 제 2 전극은 제 1 전극의 양단부를 각각 감싸며, 기판의 중심점을 기준으로 서로 대칭이며, 양단부가 기판의 중심점을 기준으로 서로 다른 사분면에 배치되고, 제 1 전극 및 한 쌍의 제 2 전극 중, 하나는 상기 제 2 질화물 반도체층에 전기적으로 접촉되도록 형성되며, 나머지 하나는 투명 전극층 위에 형성된다. 이러한 구성으로 인해, 반도체 발광소자의 일부를 제거하지 않고도 소자 내부의 열 발생을 억제할 수 있으며, 전자와 정공의 직접적인 반응이 일어나는 활성층 영역을 제거하지 않으므로, 유효발광면적을 유지할
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  • 전략기술 분류 반도체·디스플레이
    A1

  • 특허 강도 지표
    22
    청구항
    4
    인용
    0
    패밀리
    5
    권리이전

  • 출원번호 10-2010-0110762 KIPRIS
  • 출원일 2010-11-09
  • 공개번호
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  • 공고번호
  • 공고일 2012-05-16
  • 등록번호 10-1145-2910000
  • 등록일 2012-05-04

  • 현재 상태 연차료미납

  • IPC 코드 H10H 20/831; H10H 20/833; H10H 20/819

  • 대리인 특허법인주원
  • 심사관 진수영

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